23 avril 2024 — ROHM et STMicroelectronics ont récemment annoncé l'extension de l'accord pluriannuel et à long terme existant de fourniture de plaquettes de substrat en carbure de silicium (SiC) de 150 mm avec SiCrystal, une société du groupe ROHM. Le nouvel accord pluriannuel régit la fourniture de volumes plus importants de tranches de substrat SiC fabriquées à Nuremberg, en Allemagne, pour une valeur minimale attendue de 230 millions de dollars.
Geoff West, vice-président exécutif et directeur des achats chez STMicroelectronics, a déclaré : « Cet accord élargi avec SiCrystal apportera des volumes supplémentaires de tranches de substrat SiC de 150 mm pour soutenir l'augmentation de notre capacité de fabrication de dispositifs pour les clients automobiles et industriels du monde entier. Cela contribue à renforcer la résilience de notre chaîne d’approvisionnement pour une croissance future, avec un mélange équilibré d’approvisionnement interne et commercial dans toutes les régions ».
« SiCrystal est une société du groupe ROHM, une entreprise leader dans le domaine du SiC, et fabrique des tranches de substrat SiC depuis de nombreuses années. Nous sommes très heureux de prolonger cet accord de fourniture avec notre client de longue date ST. Nous continuerons à aider notre partenaire à développer ses activités SiC en augmentant continuellement les quantités de plaquettes de substrat SiC de 150 mm et en fournissant toujours une qualité fiable ». a déclaré le Dr Robert Eckstein, président et chef de la direction de SiCrystal, une société du groupe ROHM.
Les semi-conducteurs de puissance SiC économes en énergie permettent une électrification plus durable dans les secteurs automobile et industriel. En facilitant une production, une distribution et un stockage d'énergie plus efficaces, SiC soutient la transition vers des solutions de mobilité plus propres, des processus industriels à faibles émissions et un avenir énergétique plus vert, ainsi que des alimentations électriques plus fiables pour les infrastructures à forte intensité de ressources comme les centres de données dédiés aux applications d'IA.