#RSU002N06 ROHM RSU002N06 Nuevo efecto de campo de pequeña señal Transistor, 0.25A I (D), 60V, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, UMT3, SC-70, 3 PIN, imágenes RSU002N06, precio RSU002N06, proveedor # RSU002N06
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de pieza del fabricante: RSU002N06T106
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Código del paquete de piezas: SC-70
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semiconductores
Rango de riesgo: 8.02
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 60 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 0.25 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 0.25 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 3.2 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 0.2 W
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de Efecto de Campo de Señal Pequeña, 0.25AI(D), 60V, 1 Elemento, Canal N, Silicio, Óxido Metálico Semiconductores FET, UMT3, SC-70, 3 PINES
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Código del paquete de piezas: SC-70
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semiconductores
Rango de riesgo: 8.02
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 60 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 0.25 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 0.25 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 3.2 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 0.2 W
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de Efecto de Campo de Señal Pequeña, 0.25AI(D), 60V, 1 Elemento, Canal N, Silicio, Óxido Metálico Semiconductores FET, UMT3, SC-70, 3 PINES