#RSU002N06 ROHM RSU002N06 Nouveau champ à effet de petit signal Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, UMT3, SC-70, 3 broches, images RSU002N06, prix RSU002N06, fournisseur #RSU002N06
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rsu002n06.html
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Numéro de pièce du fabricant : RSU002N06T106
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant : ROHM CO LTD
Code de paquet de pièce : SC-70
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G3
Nombre de broches: 3
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Classement de risque: 8.02
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 60 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Courant de drain-Max (ID): 0.25 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 3.2 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JESD-30: R-PDSO-G3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 0.2 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal, 0.25AI(D), 60V, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, UMT3, SC-70, 3 BROCHES
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant : ROHM CO LTD
Code de paquet de pièce : SC-70
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G3
Nombre de broches: 3
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Classement de risque: 8.02
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 60 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Courant de drain-Max (ID): 0.25 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 3.2 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JESD-30: R-PDSO-G3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 0.2 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal, 0.25AI(D), 60V, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, UMT3, SC-70, 3 BROCHES