#RSU002N06 ROHM RSU002N06 Novo Efeito de Campo de Sinal Pequeno Transistor, 0.25A I (D), 60V, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, UMT3, SC-70, 3 PIN, imagens RSU002N06, preço RSU002N06, fornecedor # RSU002N06
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rsu002n06.html
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Número da peça do fabricante: RSU002N06T106
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: ROHM CO LTD
Código do pacote da peça: SC-70
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Contagem de pinos: 3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semicondutores
Classificação de risco: 8.02
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 60 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 0.25 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 0.25 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 3.2 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 3
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 0.2 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de pequeno sinal, 0.25AI(D), 60V, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, UMT3, SC-70, 3 PINOS
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: ROHM CO LTD
Código do pacote da peça: SC-70
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Contagem de pinos: 3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semicondutores
Classificação de risco: 8.02
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 60 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 0.25 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 0.25 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 3.2 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 3
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 0.2 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de pequeno sinal, 0.25AI(D), 60V, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, UMT3, SC-70, 3 PINOS