#RSU002N06 ROHM RSU002N06 새로운 소신호 전계 효과 트랜지스터, 0.25A I (D), 60V, 1 요소, N 채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, UMT3, SC-70, 3 PIN, RSU002N06 사진, RSU002N06 가격, #RSU002N06 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rsu002n06.html
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제조업체 부품 번호: RSU002N06T106
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조사 : ROHM CO LTD
부품 패키지 코드 : SC-70
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Pin Count : 3
ECCN 코드 : EAR99
제조사 : ROHM 반도체
위험 순위 : 8.02
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 60V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 0.25A
최대 드레인 전류 (ID) : 0.25A
드레인 소스 On 저항 최대 : 3.2 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PDSO-G3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 0.2W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 전계 효과 트랜지스터, 0.25AI(D), 60V, 1소자, N채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, UMT3, SC-70, 3핀
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조사 : ROHM CO LTD
부품 패키지 코드 : SC-70
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Pin Count : 3
ECCN 코드 : EAR99
제조사 : ROHM 반도체
위험 순위 : 8.02
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 60V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 0.25A
최대 드레인 전류 (ID) : 0.25A
드레인 소스 On 저항 최대 : 3.2 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PDSO-G3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 0.2W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 전계 효과 트랜지스터, 0.25AI(D), 60V, 1소자, N채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, UMT3, SC-70, 3핀