#BUZ305 ST BUZ305 Nuevo efecto de campo de energía Transistor, 7.5A I (D), 800V, 1ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-218, TO-218AB, 3 PIN, imágenes BUZ305, precio BUZ305, proveedor # BUZ305
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/buz305.html
-----------------------
Número de pieza del fabricante: BUZ305
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante de Ihs: SIEMENS AG
Código del paquete de piezas: TO-218
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Recuento de pines: 3
Fabricante: Siemens
Rango de riesgo: 5.24
Clasificación energética de avalancha (Eas): 830 mJ
Configuración: INDIVIDUAL
Desglose de DS voltaje-Mín: 800 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 7.5 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 1 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Cap-Max de retroalimentación (Crss): 140 pF
Código JEDEC-95: TO-218
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía Ambiente-Máx .: 150 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 30 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Transistor Aplicación: CONMUTACIÓN
Transistor Material del elemento: SILICIO
Tiempo de apagado máximo (toff): 690 ns
Tiempo de encendido máximo (ton): 205 ns
Transistor de efecto de campo de potencia, 7.5A I (D), 800V, 1ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-218, TO-218AB, 3 PINES
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante de Ihs: SIEMENS AG
Código del paquete de piezas: TO-218
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Recuento de pines: 3
Fabricante: Siemens
Rango de riesgo: 5.24
Clasificación energética de avalancha (Eas): 830 mJ
Configuración: INDIVIDUAL
Desglose de DS voltaje-Mín: 800 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 7.5 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 1 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Cap-Max de retroalimentación (Crss): 140 pF
Código JEDEC-95: TO-218
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía Ambiente-Máx .: 150 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 30 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Transistor Aplicación: CONMUTACIÓN
Transistor Material del elemento: SILICIO
Tiempo de apagado máximo (toff): 690 ns
Tiempo de encendido máximo (ton): 205 ns
Transistor de efecto de campo de potencia, 7.5A I (D), 800V, 1ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-218, TO-218AB, 3 PINES