#BUZ305 ST BUZ305 Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 7.5 A I(D), 800 V, 1 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-218, TO-218AB, 3 broches, images BUZ305, prix BUZ305, fournisseur #BUZ305
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/buz305.html
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Numéro de pièce du fabricant : BUZ305
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant : SIEMENS AG
Code de paquet de pièce : TO-218
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Fabricant : Siemens
Classement de risque: 5.24
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 830 mJ
Configuration: UNIQUE
Répartition DS Tension-Min : 800 V
Courant de drain-Max (ID): 7.5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 1 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Cap-Max de rétroaction (Crss): 140 pF
Code JEDEC-95 : TO-218
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance Ambient-Max: 150 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 30 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Temps d'arrêt maximal (toff): 690 ns
Temps de mise sous tension-max (tonnes): 205 ns
Transistor à effet de champ de puissance, 7.5A I(D), 800V, 1ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-218, TO-218AB, 3 BROCHES
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant : SIEMENS AG
Code de paquet de pièce : TO-218
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Fabricant : Siemens
Classement de risque: 5.24
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 830 mJ
Configuration: UNIQUE
Répartition DS Tension-Min : 800 V
Courant de drain-Max (ID): 7.5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 1 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Cap-Max de rétroaction (Crss): 140 pF
Code JEDEC-95 : TO-218
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance Ambient-Max: 150 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 30 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Temps d'arrêt maximal (toff): 690 ns
Temps de mise sous tension-max (tonnes): 205 ns
Transistor à effet de champ de puissance, 7.5A I(D), 800V, 1ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-218, TO-218AB, 3 BROCHES