#BUZ305 ST BUZ305 新しいパワー電界効果 トランジスタ、7.5A I（D）、800V、1オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、TO-218、TO-218AB、3 PIN、BUZ305 写真、BUZ305 価格、#BUZ305 サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/buz305.html
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メーカー品番: BUZ305
パーツライフサイクルコード：転送
Ihsメーカー：SIEMENS AG
部品パッケージコード：TO-218
パッケージの説明：フランジマウント、R-PSFM-T3
ピン数：3
メーカー：シーメンス
リスクランク：5.24
アバランチエネルギー定格（Eas）：830 mJ
構成：SINGLE
DSの内訳 電圧-最小：800 V
ドレイン電流-最大（ID）：7.5 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：1Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
フィードバックキャップ-最大（Crss）：140 pF
JEDEC-95コード：TO-218
JESD-30コード：R-PSFM-T3
要素数：1
ターミナル数：3
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：フランジマウント
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
消費電力アンビエント-最大：150 W
パルスドレイン電流-最大（IDM）：30 A
資格ステータス：資格なし
表面実装：いいえ
ターミナルフォーム：スルーホール
ターミナルポジション：SINGLE
トランジスタ アプリケーション：スイッチング
トランジスタ エレメント材質：シリコン
ターンオフ時間-最大（toff）：690 ns
ターンオン時間-最大（トン）：205 ns
パワー電界効果トランジスタ、7.5A I（D）、800V、1オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、TO-218、TO-218AB、3ピン
パーツライフサイクルコード：転送
Ihsメーカー：SIEMENS AG
部品パッケージコード：TO-218
パッケージの説明：フランジマウント、R-PSFM-T3
ピン数：3
メーカー：シーメンス
リスクランク：5.24
アバランチエネルギー定格（Eas）：830 mJ
構成：SINGLE
DSの内訳 電圧-最小：800 V
ドレイン電流-最大（ID）：7.5 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：1Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
フィードバックキャップ-最大（Crss）：140 pF
JEDEC-95コード：TO-218
JESD-30コード：R-PSFM-T3
要素数：1
ターミナル数：3
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：フランジマウント
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
消費電力アンビエント-最大：150 W
パルスドレイン電流-最大（IDM）：30 A
資格ステータス：資格なし
表面実装：いいえ
ターミナルフォーム：スルーホール
ターミナルポジション：SINGLE
トランジスタ アプリケーション：スイッチング
トランジスタ エレメント材質：シリコン
ターンオフ時間-最大（toff）：690 ns
ターンオン時間-最大（トン）：205 ns
パワー電界効果トランジスタ、7.5A I（D）、800V、1オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、TO-218、TO-218AB、3ピン