#BUZ305 ST BUZ305 Yeni Güç Alanı Etkisi Transistor, 7.5A I(D), 800V, 1ohm, 1-Element, N-Kanal, Silikon, Metal oksit Yarıiletken FET, TO-218, TO-218AB, 3 PIN, BUZ305 resimleri, BUZ305 fiyatı, #BUZ305 tedarikçisi
-----------------------
E-posta: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-posta: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/buz305.html
-----------------------
Üretici Parça Numarası: BUZ305
Parça Yaşam Döngüsü Kodu: Aktarıldı
Ihs Üretici: SIEMENS AG
Parça Paket Kodu: TO-218
Paket Açıklaması: FLANŞ MONTAJI, R-PSFM-T3
Pin Sayısı: 3
Üretici: Siemens
Risk Sıralaması: 5.24
Çığ Enerji Derecesi (Eas): 830 mJ
Yapılandırma: TEK
DS Dağılımı Voltaj-Min: 800 V
Drenaj Akımı-Maks. (ID): 7.5 A
Drenaj kaynağı Açık Direnç-Maks: 1 Ω
FET Teknoloji: METAL OKSİT Yarıiletken
Geri Besleme Cap-Max (Crss): 140 pF
JEDEC-95 Kodu: TO-218
JESD-30 Kodu: R-PSFM-T3
Eleman Sayısı: 1
Terminal Sayısı: 3
Çalışma Modu: GELİŞTİRME MODU
Çalışma Sıcaklığı-Max: 150 ° C
Paket Gövde Malzemesi: PLASTİK / EPOKSİ
Ambalaj Şekli: DİKDÖRTGEN
Paket Stili: FLANŞ MONTAJ
Polarite / Kanal Tipi: N-CHANNEL
Güç Dağılımı Ortam-Maks: 150 W
Darbeli Tahliye Akımı-Maks. (IDM): 30 A
Yeterlilik Durumu: Nitelikli Değil
Yüzey Montajı: HAYIR
Terminal Formu: DELİK İÇİ
Terminal Konumu: TEK
Transistor Uygulama: ANAHTARLAMA
Transistor Eleman Malzemesi: SİLİKON
Kapanma Süresi-Maks (toff): 690 ns
Açılma Süresi-Maks (ton): 205 ns
Güç Alanı Etkili Transistör, 7.5A I(D), 800V, 1ohm, 1-Element, N-Kanal, Silikon, Metal oksit Yarıiletken FET, TO-218, TO-218AB, 3 PIN
Parça Yaşam Döngüsü Kodu: Aktarıldı
Ihs Üretici: SIEMENS AG
Parça Paket Kodu: TO-218
Paket Açıklaması: FLANŞ MONTAJI, R-PSFM-T3
Pin Sayısı: 3
Üretici: Siemens
Risk Sıralaması: 5.24
Çığ Enerji Derecesi (Eas): 830 mJ
Yapılandırma: TEK
DS Dağılımı Voltaj-Min: 800 V
Drenaj Akımı-Maks. (ID): 7.5 A
Drenaj kaynağı Açık Direnç-Maks: 1 Ω
FET Teknoloji: METAL OKSİT Yarıiletken
Geri Besleme Cap-Max (Crss): 140 pF
JEDEC-95 Kodu: TO-218
JESD-30 Kodu: R-PSFM-T3
Eleman Sayısı: 1
Terminal Sayısı: 3
Çalışma Modu: GELİŞTİRME MODU
Çalışma Sıcaklığı-Max: 150 ° C
Paket Gövde Malzemesi: PLASTİK / EPOKSİ
Ambalaj Şekli: DİKDÖRTGEN
Paket Stili: FLANŞ MONTAJ
Polarite / Kanal Tipi: N-CHANNEL
Güç Dağılımı Ortam-Maks: 150 W
Darbeli Tahliye Akımı-Maks. (IDM): 30 A
Yeterlilik Durumu: Nitelikli Değil
Yüzey Montajı: HAYIR
Terminal Formu: DELİK İÇİ
Terminal Konumu: TEK
Transistor Uygulama: ANAHTARLAMA
Transistor Eleman Malzemesi: SİLİKON
Kapanma Süresi-Maks (toff): 690 ns
Açılma Süresi-Maks (ton): 205 ns
Güç Alanı Etkili Transistör, 7.5A I(D), 800V, 1ohm, 1-Element, N-Kanal, Silikon, Metal oksit Yarıiletken FET, TO-218, TO-218AB, 3 PIN