#SI7445DP-T1-E3 VISHAY SI7445DP-T1-E3 Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 12AI (D), 20V, 0.0077ohm, 1 elemento, canal P, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, CUMPLE CON ROHS, SIN PLOMO, POWERPAK, SOP-8, Imágenes SI7445DP-T1-E3, precio SI7445DP-T1-E3, proveedor # SI7445DP-T1-E3
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/si7445dp-t1-e3.html
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Número de parte del fabricante: SI7445DP-T1-E3
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-XDSO-C5
Recuento de pines: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Rango de riesgo: 5.81
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 20 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 12 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.0077 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JESD-30: R-XDSO-C5
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 5
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: SIN ESPECIFICAR
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: P-CHANNEL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 50 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: ESTAÑO MATE
Forma de terminal: C BEND
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 12A I (D), 20V, 0.0077ohm, 1 elemento, canal P, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, CUMPLE CON ROHS, SIN PLOMO, POWERPAK, SOP-8
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-XDSO-C5
Recuento de pines: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Rango de riesgo: 5.81
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 20 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 12 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.0077 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JESD-30: R-XDSO-C5
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 5
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: SIN ESPECIFICAR
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: P-CHANNEL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 50 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: ESTAÑO MATE
Forma de terminal: C BEND
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 12A I (D), 20V, 0.0077ohm, 1 elemento, canal P, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, CUMPLE CON ROHS, SIN PLOMO, POWERPAK, SOP-8