#SI7445DP-T1-E3 VISHAY SI7445DP-T1-E3 Novo Efeito de Campo de Potência Transistor, 12AI (D), 20 V, 0.0077 ohm, 1 elemento, canal P, silício, óxido metálico Semicondutores FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, imagens SI7445DP-T1-E3, preço SI7445DP-T1-E3, fornecedor # SI7445DP-T1-E3
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Email: sales@shunlongwei.com
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Número da peça do fabricante: SI7445DP-T1-E3
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Classificação de risco: 5.81
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 20 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 12 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.0077 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-XDSO-C5
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 5
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Material do corpo da embalagem: NÃO ESPECIFICADO
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: P-CHANNEL
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 50 A
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: MATTE TIN
Formulário Terminal: C BEND
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de potência, 12A I(D), 20V, 0.0077ohm, 1 elemento, canal P, silício, óxido metálico Semicondutores FET, EM CONFORMIDADE COM ROHS, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Classificação de risco: 5.81
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 20 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 12 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.0077 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-XDSO-C5
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 5
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Material do corpo da embalagem: NÃO ESPECIFICADO
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: P-CHANNEL
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 50 A
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: MATTE TIN
Formulário Terminal: C BEND
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de potência, 12A I(D), 20V, 0.0077ohm, 1 elemento, canal P, silício, óxido metálico Semicondutores FET, EM CONFORMIDADE COM ROHS, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8