#SI7445DP-T1-E3 VISHAY SI7445DP-T1-E3 Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 12AI(D), 20V, 0.0077ohm, 1 élément, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, CONFORME ROHS, SANS PLOMB, POWERPAK, SOP-8, images SI7445DP-T1-E3, prix SI7445DP-T1-E3, fournisseur #SI7445DP-T1-E3
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/si7445dp-t1-e3.html
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Numéro de pièce du fabricant : SI7445DP-T1-E3
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant : VISHAY SILICONIX
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-XDSO-C5
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Vishay Siliconix
Classement de risque: 5.81
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 20 V
Courant de drain-Max (ID): 12 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0077 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-XDSO-C5
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 5
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité/Type de canal : P-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 50 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme de borne : C BEND
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 12A I(D), 20V, 0.0077ohm, 1 élément, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, CONFORME ROHS, SANS PLOMB, POWERPAK, SOP-8
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant : VISHAY SILICONIX
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-XDSO-C5
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Vishay Siliconix
Classement de risque: 5.81
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 20 V
Courant de drain-Max (ID): 12 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0077 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-XDSO-C5
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 5
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité/Type de canal : P-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 50 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme de borne : C BEND
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 12A I(D), 20V, 0.0077ohm, 1 élément, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, CONFORME ROHS, SANS PLOMB, POWERPAK, SOP-8