VISHAYSI7445DP-T1-E3在庫あり

#SI7445DP-T1-E3 VISHAY SI7445DP-T1-E3 新しいパワー電界効果 トランジスタ、12AI（D）、20V、0.0077オーム、1エレメント、Pチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、ROHS 準拠、リードレス、POWERPAK、SOP-8、SI7445DP-T1-E3 写真、SI7445DP-T1-E3 価格、#SI7445DP-T1-E3 サプライヤー
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メーカー部品番号：SI7445DP-T1-E3
Rohsコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
Ihsメーカー：VISHAY SILICONIX
パーツパッケージコード：SOT
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-XDSO-C5
ピン数：8
ECCNコード：EAR99
メーカー：Vishay Siliconix
リスクランク：5.81
ケース接続：DRAIN
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：20 V
ドレイン電流-最大（ID）：12 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.0077Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JESD-30コード：R-XDSO-C5
JESD-609コード：e3
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：5
動作モード：拡張モード
パッケージ本体材質：未指定
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：260
極性/チャンネルタイプ：P-CHANNEL
パルスドレイン電流-最大（IDM）：50 A
資格ステータス：資格なし
表面実装：はい
ターミナルフィニッシュ：MATTE TIN
ターミナルフォーム：Cベンド
ターミナルポジション：DUAL
Time
パワー電界効果トランジスタ、12A I(D)、20V、0.0077Ω、1素子、Pチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、ROHS準拠、リードレス、パワーパック、SOP-8