#BSM35GB120DLC EUPEC BSM35GB120DLC Nouvelle Porte Isolée Bipolaire Transistor 75A I(C) 1200V V(BR)CES N-Channel, images BSM35GB120DLC, prix BSM35GB120DLC, fournisseur # BSM35GB120DLC
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Référence fabricant: BSM35GB120DLC
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: EUPEC GMBH & CO KG
Fabricant: Eupec Gmbh & Co Kg
Classement de risque: 5.64
Connexion du boîtier: ISOLÉ
Courant-max du collecteur (IC): 75 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 1200 V
Configuration: SÉRIE CONNECTÉE, TAP CENTRAL, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE
Porte-émetteur Tension-Max: 20 V
Code JESD-30: R-XUFM-X7
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 7
Température de fonctionnement-Max: 125 ° C
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Puissance Dissipation-Max (Abs): 310 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie: Transistors BIP à porte isolée
Montage en surface: NON
Forme du terminal: NON SPÉCIFIÉ
Position du terminal: UPPER
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Temps de désactivation-Nom (toff): 370 ns
Temps de mise en marche-Nom (tonnes): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor bipolaire à grille isolée 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: EUPEC GMBH & CO KG
Fabricant: Eupec Gmbh & Co Kg
Classement de risque: 5.64
Connexion du boîtier: ISOLÉ
Courant-max du collecteur (IC): 75 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 1200 V
Configuration: SÉRIE CONNECTÉE, TAP CENTRAL, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE
Porte-émetteur Tension-Max: 20 V
Code JESD-30: R-XUFM-X7
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 7
Température de fonctionnement-Max: 125 ° C
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Puissance Dissipation-Max (Abs): 310 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie: Transistors BIP à porte isolée
Montage en surface: NON
Forme du terminal: NON SPÉCIFIÉ
Position du terminal: UPPER
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Temps de désactivation-Nom (toff): 370 ns
Temps de mise en marche-Nom (tonnes): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor bipolaire à grille isolée 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel