#BSM35GB120DLC EUPEC BSM35GB120DLC New Insulated Gate Bipolare Transistor 75A I(C) 1200V V(BR)CES N-Channel, immagini BSM35GB120DLC, prezzo BSM35GB120DLC, fornitore #BSM35GB120DLC
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice articolo produttore: BSM35GB120DLC
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: EUPEC GMBH & CO KG
Produttore: Eupec Gmbh & Co Kg
Grado di rischio: 5.64
Collegamento case: ISOLATO
Corrente max collettore (IC): 75 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 1200 V
Configurazione: SERIE CONNESSA, RUBINETTO CENTRALE, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Porta-emettitore voltaggio-Max: 20 V
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Potenza Dissipazione-Max (Abs): 310 W
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: Transistor BIP con gate isolato
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICIO
Tempo di spegnimento-Nom (toff): 370 ns
Tempo di accensione-Nom (tono): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor bipolare a gate isolato 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: EUPEC GMBH & CO KG
Produttore: Eupec Gmbh & Co Kg
Grado di rischio: 5.64
Collegamento case: ISOLATO
Corrente max collettore (IC): 75 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 1200 V
Configurazione: SERIE CONNESSA, RUBINETTO CENTRALE, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Porta-emettitore voltaggio-Max: 20 V
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Potenza Dissipazione-Max (Abs): 310 W
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: Transistor BIP con gate isolato
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICIO
Tempo di spegnimento-Nom (toff): 370 ns
Tempo di accensione-Nom (tono): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor bipolare a gate isolato 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel