#BSM35GB120DLC EUPEC BSM35GB120DLC Cổng cách điện mới lưỡng cực Transistor 75A I(C) 1200V V(BR)CES N-Channel, hình ảnh BSM35GB120DLC, giá BSM35GB120DLC, #BSM35GB120DLC nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: BSM35GB120DLC
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Ihs Nhà sản xuất: EUPEC GMBH & CO KG
Nhà sản xuất: Eupec Gmbh & Co Kg
Xếp hạng rủi ro: 5.64
Kết nối trường hợp: ISOLATED
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 75 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 1200 V
Cấu hình: ĐÃ KẾT NỐI SERIES, BẢNG TRUNG TÂM, 2 PHẦN TỬ VỚI DIODE TÍCH HỢP
Cổng-Emitter Vôn-Tối đa: 20 V
Mã JESD-30: R-XUFM-X7
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 7
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 125 ° C
Vật liệu cơ thể gói: KHÔNG ĐƯỢC XÁC NHẬN
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Power Tản nhiệt-Tối đa (Áp suất): 310 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Bóng bán dẫn BIP cổng cách điện
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng thiết bị đầu cuối: UNSPECIFIED
Vị trí đầu cuối: UPPER
Transistor Nguyên liệu nguyên tố: Silic
Tắt Thời gian-Nom (toff): 370 ns
Thời gian bật-Nom (tấn): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor lưỡng cực cổng cách điện 75A I (C) 1200V V (BR) CES kênh N
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Ihs Nhà sản xuất: EUPEC GMBH & CO KG
Nhà sản xuất: Eupec Gmbh & Co Kg
Xếp hạng rủi ro: 5.64
Kết nối trường hợp: ISOLATED
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 75 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 1200 V
Cấu hình: ĐÃ KẾT NỐI SERIES, BẢNG TRUNG TÂM, 2 PHẦN TỬ VỚI DIODE TÍCH HỢP
Cổng-Emitter Vôn-Tối đa: 20 V
Mã JESD-30: R-XUFM-X7
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 7
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 125 ° C
Vật liệu cơ thể gói: KHÔNG ĐƯỢC XÁC NHẬN
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Power Tản nhiệt-Tối đa (Áp suất): 310 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Bóng bán dẫn BIP cổng cách điện
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng thiết bị đầu cuối: UNSPECIFIED
Vị trí đầu cuối: UPPER
Transistor Nguyên liệu nguyên tố: Silic
Tắt Thời gian-Nom (toff): 370 ns
Thời gian bật-Nom (tấn): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor lưỡng cực cổng cách điện 75A I (C) 1200V V (BR) CES kênh N