#BSM35GB120DLC EUPEC BSM35GB120DLC Nova Porta Bipolar Isolada Transistor 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel, imagens BSM35GB120DLC, preço BSM35GB120DLC, fornecedor # BSM35GB120DLC
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Email: sales@shunlongwei.com
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Número da peça do fabricante: BSM35GB120DLC
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: EUPEC GMBH & CO KG
Fabricante: Eupec Gmbh & Co Kg
Classificação de risco: 5.64
Conexão da caixa: ISOLADA
Coletor Atual-Máx (IC): 75 A
Coletor-Emissor Voltagem-Máx: 1200 V
Configuração: SÉRIE CONECTADA, TORNEIRA CENTRAL, 2 ELEMENTOS COM DIODO EMBUTIDO
Emissor de porta Voltagem-Máx: 20 V
Código JESD-30: R-XUFM-X7
Número de elementos: 2
Número de terminais: 7
Temperatura operacional máx .: 125 ° C
Material do corpo da embalagem: NÃO ESPECIFICADO
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: FLANGE MOUNT
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Potência Dissipação-Máx (Abs): 310 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Transistores BIP de porta isolada
Montagem em superfície: NÃO
Formulário Terminal: NÃO ESPECIFICADO
Posição Terminal: SUPERIOR
Transistor Material do elemento: SILICONE
Tempo de desligamento-Nom (toff): 370 ns
Tempo de ativação-Nom (tom): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor bipolar de porta isolada 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: EUPEC GMBH & CO KG
Fabricante: Eupec Gmbh & Co Kg
Classificação de risco: 5.64
Conexão da caixa: ISOLADA
Coletor Atual-Máx (IC): 75 A
Coletor-Emissor Voltagem-Máx: 1200 V
Configuração: SÉRIE CONECTADA, TORNEIRA CENTRAL, 2 ELEMENTOS COM DIODO EMBUTIDO
Emissor de porta Voltagem-Máx: 20 V
Código JESD-30: R-XUFM-X7
Número de elementos: 2
Número de terminais: 7
Temperatura operacional máx .: 125 ° C
Material do corpo da embalagem: NÃO ESPECIFICADO
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: FLANGE MOUNT
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Potência Dissipação-Máx (Abs): 310 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Transistores BIP de porta isolada
Montagem em superfície: NÃO
Formulário Terminal: NÃO ESPECIFICADO
Posição Terminal: SUPERIOR
Transistor Material do elemento: SILICONE
Tempo de desligamento-Nom (toff): 370 ns
Tempo de ativação-Nom (tom): 110 ns
VCEsat-Max: 2.6 V
Transistor bipolar de porta isolada 75A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel