Fiches techniques :APT25GR120(B,S)SCD10Emballage standard :31Catégorie :Discret Semi-conducteurs Famille de produits :IGBTs – Série unique : - Emballage : TubeIGBT Type : NPTVension - Panne de l'émetteur-collecteur (Max ): 1200VVce(on) (Max) @ Vge, IC:3.2V @ 15V, 25ACurent – Collecteur (IC) (Max):75ACurrent – Collector Pulsed (Icm):100APower – Max:521WSwitching Energy:434µJ (on), 466µJ (off)Type d'entrée:StandardGate Charge:203nCTd (on/off) @ 25°C:16ns/122nsCondition de test :600V, 25A, 4.3 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr):-Package / Case:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAMounting Type:Surface MountSupplier Device Package:D3PakDynamic Catalogue:Standard IGBTs #APT25GR120SSCD10 Microsemi Power Products Group APT25GR120SSCD10 Nouvelle porte isolée bipolaire Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, canal N,, images APT25GR120SSCD10, prix APT25GR120SSCD10, fournisseur #APT25GR120SSCD10
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Fabricants Numéro de pièce : APT25GR120SSCD10
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: MICROSEMI CORP
Description du paquet:,
Fabricant: Microsemi Corporation
Classement de risque: 5.83
Courant maximum du collecteur (IC): 75 A
Collecteur-émetteur Tension-Max: 1200 V
Porte-émetteur Thr Tension-Max: 6.5 V
Tension de porte-émetteur-max: 30 V
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 521 W
Sous-catégorie: Transistors BIP à porte isolée
Montage en surface: OUI
Transistor bipolaire à grille isolée, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, canal N,
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: MICROSEMI CORP
Description du paquet:,
Fabricant: Microsemi Corporation
Classement de risque: 5.83
Courant maximum du collecteur (IC): 75 A
Collecteur-émetteur Tension-Max: 1200 V
Porte-émetteur Thr Tension-Max: 6.5 V
Tension de porte-émetteur-max: 30 V
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 521 W
Sous-catégorie: Transistors BIP à porte isolée
Montage en surface: OUI
Transistor bipolaire à grille isolée, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, canal N,