גיליונות נתונים:APT25GR120(B,S)SCD10חבילה סטנדרטית:31קטגוריה:בדיד סמיקונדקטור מוצרים משפחה:IGBTs – סדרה יחידה:-אריזה:TubeIGBT סוג:NPTVoltage – התמוטטות פולט אספן (מקסימום):1200VVce(on) (Max) @ Vge, IC:3.2V @ 15V, 25ACcurrent – אספן (IC) (מקסימום):75ACcurrent – אספן פועם (Icm):100APower – מקסימום:521WSאנרגיית מיתוג:434µJ (מופעל), 466µJ (כבוי) סוג קלט: Standardgate טעינה:203nCTd (on/off) @ 25°C:16ns/122nsTest מצב :600V, 25A, 4.3 Ohm, 15VR זמן התאוששות הפוכה (trr):-חבילה / מארז:TO-268-3, D³Pak (2 לידים + Tab), TO-268AAM סוג הרכבה: משטח התקן חבילה של ספק:D3aIGBTStandardAPT25GR120SSCD10 Microsemi Power Products Group APT25GR120SSCD10 שער מבודד חדש דו קוטבי טרנזיסטור, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,, תמונות APT25GR120SSCD10, מחיר APT25GR120SSCD10, ספק #APT25GR120SSCD10
-----------------------
דוא"ל: sales@shunlongwei.com
-----------------------
דוא"ל: sales@shunlongwei.com
-----------------------
יַצרָן מספר חלק: APT25GR120SSCD10
קוד רוהס: כן
קוד מחזור חיי חלק: מיושן
יצרן Ihs: MICROSEMI CORP
תיאור החבילה:,
יצרן: Microsemi Corporation
דרגת סיכון: 5.83
זרם מקסימום אספן (IC): 75 A.
אספן-פולט מתחמקסימום: 1200 וולט
פולט שער Thr מתחמקסימום: 6.5 וולט
מתח-פולט שער מקסימום: 30 וולט
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 150 מעלות צלזיוס
קוטביות / סוג ערוץ: N-CHANNEL
פיזור כוח מקסימלי (ABS): 521 וואט
קטגוריית משנה: טרנזיסטורים BIP שער מבודד
משטח הר: כן
טרנזיסטור דו-קוטבי שער מבודד, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
קוד רוהס: כן
קוד מחזור חיי חלק: מיושן
יצרן Ihs: MICROSEMI CORP
תיאור החבילה:,
יצרן: Microsemi Corporation
דרגת סיכון: 5.83
זרם מקסימום אספן (IC): 75 A.
אספן-פולט מתחמקסימום: 1200 וולט
פולט שער Thr מתחמקסימום: 6.5 וולט
מתח-פולט שער מקסימום: 30 וולט
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 150 מעלות צלזיוס
קוטביות / סוג ערוץ: N-CHANNEL
פיזור כוח מקסימלי (ABS): 521 וואט
קטגוריית משנה: טרנזיסטורים BIP שער מבודד
משטח הר: כן
טרנזיסטור דו-קוטבי שער מבודד, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,