Magnachipe Semi-conducteurs Corporation a lancé deux MXT de septième génération mosfet, construit sur son canal Super-Short sans souci, pour la protection de la batterie du smartphone circuit modules.
Super-Short Channel est la dernière technologie de conception de la société pour réduire considérablement la longueur du canal entre la source et le drain afin de réduire les pertes RDS(on) et de conduction grâce à un fonctionnement à l'état passant. Il applique cette technologie d'abord au 12V mosfet (MDWC12D028ERH) et 24 V MOSFET (MDWC24D031ERH).
Grâce à la technologie Super-Short Channel, les tailles de ces nouveaux MOSFET ont été réduites de 20 %, tandis que le RDS(on) de MDWC12D028ERH et MDWC24D031ERH est abaissé de 40 % et 24 %, respectivement, par rapport aux versions précédentes. Ces produits améliorés présentent une perte de puissance réduite lorsqu'une batterie se charge ou se décharge, et une température de fonctionnement basse peut être maintenue pour une charge rapide de la batterie.
La société prévoit de lancer ces MOSFET de taille compacte pour les petites batteries d'appareils portables, y compris les montres intelligentes et les écouteurs, au cours du second semestre 2023.
"La nouvelle technologie Super-Short Channel a fait passer les performances des MOSFET MXT à un niveau supérieur", a déclaré YJ Kim, PDG de Magnachip. "Magnachip poursuivra ses efforts pour faire progresser l'innovation technologique et fournir des solutions de gestion de l'alimentation haut de gamme répondant aux exigences diverses et changeantes des fabricants d'appareils mobiles."