Magnachip Semiconductor Corporation đã ra mắt hai MXT thế hệ thứ bảy mosfet, được xây dựng trên Kênh siêu ngắn của nó công nghệ, để bảo vệ pin điện thoại thông minh mạch mô-đun.
Kênh siêu ngắn là công nghệ thiết kế mới nhất của công ty nhằm cắt giảm đáng kể chiều dài kênh giữa nguồn và cống để giảm RDS(on) và tổn thất dẫn truyền thông qua hoạt động ở trạng thái. Nó đang áp dụng công nghệ này đầu tiên cho 12V mosfet (MDWC12D028ERH) và 24V MOSFE (MDWC24D031ERH).
Nhờ công nghệ Kênh siêu ngắn, kích thước của các MOSFET mới này đã giảm 20%, trong khi RDS(on) của MDWC12D028ERH và MDWC24D031ERH giảm lần lượt là 40% và 24% so với các phiên bản trước đó. Những sản phẩm cải tiến này có tính năng giảm hao hụt điện năng khi sạc hoặc xả pin và có thể duy trì nhiệt độ vận hành thấp để sạc pin nhanh.
Công ty có kế hoạch tung ra các MOSFET có kích thước nhỏ gọn này cho pin nhỏ của thiết bị đeo được, bao gồm cả đồng hồ thông minh và tai nghe, vào nửa cuối năm 2023.
YJ Kim, Giám đốc điều hành của Magnachip cho biết: “Công nghệ Kênh siêu ngắn mới đã đưa hiệu suất của MOSFET MXT lên một tầm cao mới. “Magnachip sẽ tiếp tục nỗ lực thúc đẩy đổi mới công nghệ và cung cấp các giải pháp quản lý năng lượng cao cấp đáp ứng các yêu cầu đa dạng và luôn thay đổi của các nhà sản xuất thiết bị di động.”