Magnachip Semikonduktor Corporation telah melancarkan dua MXT generasi ketujuh mosfet, dibina pada Saluran Super-Pendeknya teknologi, untuk perlindungan bateri telefon pintar litar modul.
Super-Short Channel ialah teknologi reka bentuk terbaharu syarikat untuk memangkas panjang saluran dengan ketara antara punca dan longkang untuk mengurangkan RDS(on) dan kehilangan pengaliran melalui operasi dalam keadaan. Ia menggunakan teknologi ini terlebih dahulu pada 12V mosfet (MDWC12D028ERH) dan 24V MOSFET (MDWC24D031ERH).
Terima kasih kepada teknologi Super-Short Channel, saiz MOSFET baharu ini telah dikurangkan sebanyak 20%, manakala RDS(on) MDWC12D028ERH dan MDWC24D031ERH masing-masing diturunkan sebanyak 40% dan 24%, berbanding versi terdahulu. Produk yang dipertingkatkan ini menampilkan kehilangan kuasa yang lebih rendah apabila bateri sedang dicas atau dinyahcas, dan suhu operasi yang rendah boleh dikekalkan untuk pengecasan bateri yang pantas.
Syarikat itu merancang untuk melancarkan MOSFET bersaiz padat ini untuk bateri kecil peranti boleh pakai, termasuk jam tangan pintar dan fon telinga, pada separuh kedua 2023.
“Teknologi Super-Short Channel baharu telah membawa prestasi MOSFET MXT ke tahap yang lebih tinggi,” kata YJ Kim, Ketua Pegawai Eksekutif Magnachip. “Magnachip akan meneruskan usaha kami untuk memajukan inovasi teknologi dan menyampaikan penyelesaian pengurusan kuasa premium yang memenuhi keperluan pengeluar peranti mudah alih yang pelbagai dan berubah-ubah.”