Magnachip Semikonduktor Corporation telah meluncurkan dua MXT generasi ketujuh MOSFET, dibangun di Saluran Super-Pendeknya teknologi, untuk perlindungan baterai ponsel cerdas sirkit modul.
Super-Short Channel adalah teknologi desain terbaru perusahaan untuk secara signifikan memangkas panjang saluran antara sumber dan saluran pembuangan untuk mengurangi kerugian RDS(on) dan konduksi melalui operasi di negara bagian. Ini menerapkan teknologi ini terlebih dahulu ke 12V MOSFET (MDWC12D028ERH) dan 24V MOSFET (MDWC24D031ERH).
Berkat teknologi Super-Short Channel, ukuran MOSFET baru ini telah berkurang sebesar 20%, sedangkan RDS(on) MDWC12D028ERH dan MDWC24D031ERH diturunkan masing-masing sebesar 40% dan 24%, dibandingkan dengan versi sebelumnya. Produk yang ditingkatkan ini memiliki kehilangan daya yang lebih rendah saat baterai sedang diisi atau dikosongkan, dan suhu pengoperasian yang rendah dapat dipertahankan untuk pengisian baterai yang cepat.
Perusahaan berencana meluncurkan MOSFET berukuran ringkas ini untuk baterai kecil perangkat yang dapat dikenakan, termasuk jam tangan pintar dan earphone, pada paruh kedua tahun 2023.
“Teknologi Super-Short Channel yang baru telah membawa kinerja MOSFET MXT ke level selanjutnya,” kata YJ Kim, CEO Magnachip. “Magnachip akan melanjutkan upaya kami untuk memajukan inovasi teknologi dan menghadirkan solusi manajemen daya premium yang memenuhi kebutuhan produsen perangkat seluler yang beragam dan selalu berubah.”