Magnachip Semicondutores Corporation lançou dois MXT de sétima geração mosfet, construído em seu canal supercurto tecnologia, para proteção da bateria do smartphone o circuito módulos.
Super-Short Channel é a tecnologia de design mais recente da empresa para reduzir significativamente o comprimento do canal entre a fonte e o dreno para reduzir o RDS(on) e as perdas de condução por meio da operação no estado. Está aplicando esta tecnologia primeiro ao 12V mosfet (MDWC12D028ERH) e 24V MOSFET (MDWC24D031ERH).
Graças à tecnologia Super-Short Channel, os tamanhos desses novos MOSFETs foram reduzidos em 20%, enquanto o RDS(on) de MDWC12D028ERH e MDWC24D031ERH foi reduzido em 40% e 24%, respectivamente, em comparação com as versões anteriores. Esses produtos aprimorados apresentam menor perda de energia quando uma bateria está carregando ou descarregando, e uma baixa temperatura operacional pode ser mantida para carregamento rápido da bateria.
A empresa planeja lançar esses MOSFETs de tamanho compacto para pequenas baterias de dispositivos vestíveis, incluindo smartwatches e fones de ouvido, no segundo semestre de 2023.
“A nova tecnologia Super-Short Channel levou o desempenho dos MOSFETs MXT para o próximo nível”, disse YJ Kim, CEO da Magnachip. “A Magnachip continuará nossos esforços para promover a inovação tecnológica e fornecer soluções premium de gerenciamento de energia, satisfazendo os requisitos diversos e em constante mudança dos fabricantes de dispositivos móveis”.