Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) modul. Berikut rincian spesifikasi utamanya:
- Tegangan Kolektor-Emitor (Vces): Tegangan maksimum yang dapat diterapkan antara terminal kolektor dan emitor IGBT adalah 600 volt.
- Arus Kolektor DC Berkelanjutan: Arus kontinu maksimum yang dapat ditangani IGBT tanpa melebihi spesifikasinya adalah 150 ampere.
- Arus Kolektor Puncak Berulang (ICRM): Ini adalah arus maksimum yang dapat ditangani IGBT dalam kondisi puncak yang berulang. Nilainya 300 ampere.
- Disipasi Daya Total (Ptot): Disipasi daya atau panas maksimum yang dapat ditangani modul IGBT tanpa melebihi spesifikasinya adalah 570 watt.
- Tegangan Puncak Gerbang-Emitor (VGES): Tegangan puncak maksimum yang dapat diterapkan antara terminal gerbang dan emitor IGBT adalah +/-20 volt.
- Suhu Dalam Kondisi Peralihan (Operasi TV): Kisaran suhu pengoperasian modul IGBT dalam kondisi peralihan adalah dari -40°C hingga 150°C. Artinya, perangkat dapat beroperasi dalam kisaran suhu ini saat beralih atau digunakan secara aktif.
Spesifikasi ini penting untuk merancang dan menggunakan modul IGBT dalam berbagai aplikasi, memastikan bahwa modul beroperasi dalam batas aman dan ditentukan.