Innoscienza Tecnologia ha rilasciato il primo di una nuova famiglia di dispositivi GaN integrati in SolidGaN. ISG3201 è un mezzo ponte completo circuito comprendente due HEMT InnoGaN da 100 V 3.2 mOhm e il circuito di pilotaggio necessario in un pacchetto LGA che misura solo 5 mm x 6.5 mm x 1.1 mm.
Spiega Yi Sun, general manager di Innoscience America e Senior VP: "Innoscience offre ora ai progettisti una scelta tra la massima flessibilità nell'utilizzo di una soluzione discreta e questo nuovo approccio integrato che è molto compatto e semplice da usare e salda e semplifica l'alimentazione disposizione del palco”.
Il dispositivo comprende due HEMT GaN e-mode da 100 V 3.2 mOhm con driver, Resistore, bootstrap e Vcc Condensatori. Fornisce una capacità di corrente continua di 34 A, zero carica di recupero inverso e resistenza ultra bassa. A causa dell'elevato livello di integrazione, i parassiti del gate loop e del power loop sono mantenuti al di sotto di 1nH. Di conseguenza, voltaggio i picchi sui nodi di commutazione sono ridotti al minimo. La velocità di accensione degli HEMT GaN a mezzo ponte può essere modificata utilizzando un singolo resistore.
Il dispositivo è ideale per convertitori Buck ad alta frequenza, convertitori half-bridge o full-bridge, amplificatori audio di classe D, convertitori LLC e moduli di potenza. La soluzione integrata può far risparmiare fino al 20% di spazio su PCB su progetti GaN discreti e fino al 73% di spazio su scheda su implementazioni in silicio convenzionali.
Aggiunge il dott. Pengju Kong, VP of Product Design Engineering presso Innoscience: "Il dispositivo a semiponte ISG3201 è il primo di un'intera famiglia di soluzioni basate su GaN integrate SolidGaN che Innoscience prevede di lanciare quest'anno, inclusi ulteriori circuiti a semiponte con diversi valori di tensione. Innoscience mira a offrire agli ingegneri esattamente ciò che desiderano – soluzioni integrate o dispositivi discreti – consentendo loro di ottenere il miglior risultato possibile per il loro progetto, riducendo al minimo i tempi di sviluppo e riducendo i costi”.