מדע תמימות טכנולוגיה פרסמה את הראשון במשפחה חדשה של מכשירי GaN המשולבים ב-SolidGaN. ISG3201 הוא חצי גשר שלם מעגל כולל שני 100V 3.2mOhm InnoGaN HEMT ומעגלי הדרייבר הנחוצים בחבילת LGA בגודל 5 מ"מ על 6.5 מ"מ בלבד על 1.1 מ"מ.
מסביר יי סאן, מנכ"ל Innoscience America וסמנכ"ל בכיר: "Innoscience מציעה כעת למעצבים בחירה בין הגמישות האולטימטיבית של שימוש בפתרון דיסקרטי, לבין הגישה המשולבת החדשה הזו שהיא מאוד קומפקטית ופשוטה לשימוש והלחמה ומפשטת את הכוח. פריסת הבמה."
המכשיר מורכב משני 100V 3.2mOhm e-mode GaN HEMTs עם דרייבר, נהיגה נַגָד, bootstrap ו-Vcc קבלים. הוא מספק יכולת זרם רציף של 34A, טעינת התאוששות הפוכה אפסית והתנגדות נמוכה במיוחד. בשל רמת האינטגרציה הגבוהה, טפילי לולאת השער ולולאת הכוח נשמרים מתחת ל-1nH. כתוצאה מכך, מתח קוצים בצמתי מיתוג ממוזערים. ניתן לשנות את מהירות ההפעלה של חצי גשר GaN HEMTs על ידי שימוש בנגד יחיד.
ההתקן אידיאלי עבור ממירי Buck בתדר גבוה, ממירי חצי גשר או גשר מלא, מגברי שמע Class D, ממירי LLC ומודי כוח. הפתרון המשולב יכול לחסוך עד 20% שטח PCB בעיצובי GaN דיסקרטיים ו-73% שטח לוח בהטמעות סיליקון קונבנציונליות.
מוסיף ד"ר פנג'ו קונג, סמנכ"ל הנדסת עיצוב מוצר ב-Innoscience: "התקן ISG3201 חצי גשר הוא הראשון במשפחה שלמה של פתרונות מבוססי GaN משולבים SolidGaN ש-Innoscience מתכננת להשיק השנה, כולל מעגלים נוספים של חצי גשר עם מעגלים שונים דירוגי מתח. Innoscience שואפת להציע למהנדסים בדיוק את מה שהם רוצים - פתרונות משולבים או התקנים דיסקרטיים - המאפשרים להם להשיג את התוצאה הטובה ביותר האפשרית עבור התכנון שלהם, צמצום זמן הפיתוח והפחתת עלויות."