Khoa học Công nghệ đã phát hành sản phẩm đầu tiên trong dòng thiết bị GaN tích hợp SolidGaN mới. ISG3201 là một nửa cầu hoàn chỉnh mạch bao gồm hai HEMT InnoGaN 100V 3.2mOhm và mạch trình điều khiển cần thiết trong một gói LGA có kích thước chỉ 5mm x 6.5mm x 1.1mm.
Yi Sun, tổng giám đốc của Innoscience America và Phó chủ tịch cấp cao, giải thích: “Innoscience hiện đang cung cấp cho các nhà thiết kế sự lựa chọn giữa tính linh hoạt tối đa của việc sử dụng một giải pháp rời rạc và phương pháp tích hợp mới này, rất nhỏ gọn và đơn giản để sử dụng, hàn và đơn giản hóa nguồn điện. bố trí sân khấu.”
Thiết bị bao gồm hai HEMT GaN chế độ điện tử 100V 3.2mOhm với trình điều khiển, trình điều khiển Điện trở, bootstrap và Vcc Tụ. Nó cung cấp khả năng dòng điện liên tục 34A, điện tích phục hồi ngược bằng không và điện trở cực thấp. Do mức độ tích hợp cao, ký sinh trùng vòng cổng và vòng lặp nguồn được giữ dưới 1nH. Do đó, Vôn đột biến trên các nút chuyển đổi được giảm thiểu. Có thể thay đổi tốc độ Bật của GaN HEMT nửa cầu bằng cách sử dụng một điện trở duy nhất.
Thiết bị này lý tưởng cho bộ chuyển đổi Buck tần số cao, bộ chuyển đổi nửa cầu hoặc toàn cầu, bộ khuếch đại âm thanh Class D, bộ chuyển đổi LLC và mô-đun nguồn. Giải pháp tích hợp có thể tiết kiệm tới 20% không gian PCB trên các thiết kế GaN riêng biệt và 73% không gian bo mạch trên các triển khai silicon thông thường.
Tiến sĩ Pengju Kong, Phó Giám đốc Kỹ thuật Thiết kế Sản phẩm tại Innoscience cho biết thêm: “Thiết bị nửa cầu ISG3201 là thiết bị đầu tiên trong toàn bộ dòng giải pháp dựa trên GaN tích hợp SolidGaN mà Innoscience dự định ra mắt trong năm nay, bao gồm các mạch nửa cầu khác với các định mức điện áp. Innoscience nhằm mục đích cung cấp cho các kỹ sư chính xác những gì họ muốn – giải pháp tích hợp hoặc thiết bị riêng biệt – cho phép họ đạt được kết quả tốt nhất có thể cho thiết kế của mình, giảm thiểu thời gian phát triển và giảm chi phí.”