onwetendheid Technologie heeft de eerste in een nieuwe familie van SolidGaN-geïntegreerde GaN-apparaten uitgebracht. ISG3201 is een complete halve brug circuit bestaande uit twee 100V 3.2mOhm InnoGaN HEMT's en de benodigde drivercircuits in een LGA-pakket van slechts 5 mm x 6.5 mm x 1.1 mm.
Yi Sun, algemeen directeur van Innoscience America en Senior VP, legt uit: “Innoscience biedt ontwerpers nu de keuze tussen de ultieme flexibiliteit van het gebruik van een discrete oplossing en deze nieuwe geïntegreerde aanpak die zeer compact en gebruiksvriendelijk is en de stroomvoorziening vereenvoudigt en vereenvoudigt. podiumindeling.”
Het apparaat bestaat uit twee 100V 3.2mOhm e-mode GaN HEMT's met driver, Weerstand, bootstrap en Vcc Condensatoren. Het biedt een continue stroomcapaciteit van 34A, nul omgekeerde herstellading en ultralage weerstand. Door de hoge mate van integratie worden poortlus- en stroomlusparasieten onder 1nH gehouden. Vervolgens, spanning pieken op schakelknooppunten worden geminimaliseerd. De inschakelsnelheid van de GaN HEMT's met halve brug kan worden gewijzigd door een enkele weerstand te gebruiken.
Het apparaat is ideaal voor hoogfrequente Buck-converters, half-bridge of full-bridge-converters, klasse D-audioversterkers, LLC-converters en vermogensmodules. De geïntegreerde oplossing kan tot 20% PCB-ruimte besparen op discrete GaN-ontwerpen en 73% boardruimte op conventionele siliciumimplementaties.
Voegt Dr. Pengju Kong, VP Product Design Engineering bij Innoscience toe: “Het ISG3201 half-bridge device is het eerste in een hele familie van SolidGaN geïntegreerde GaN-gebaseerde oplossingen die Innoscience dit jaar wil lanceren, inclusief nog meer half-bridge circuits met verschillende spanningswaarden. Innoscience streeft ernaar ingenieurs precies te bieden wat ze willen – geïntegreerde oplossingen of discrete apparaten – zodat ze het best mogelijke resultaat voor hun ontwerp kunnen bereiken, de ontwikkeltijd minimaliseren en de kosten verlagen.”