невежество Технологии выпустила первое устройство из нового семейства GaN-устройств, интегрированных с SolidGaN. ISG3201 представляет собой полноценный полумост. схема состоит из двух 100-вольтовых 3.2 мОм InnoGaN HEMT и необходимой схемы драйвера в корпусе LGA размером всего 5 мм x 6.5 мм x 1.1 мм.
Объясняет Йи Сун, генеральный менеджер Innoscience America и старший вице-президент: «Сейчас Innoscience предлагает разработчикам выбор между максимальной гибкостью использования дискретного решения и этим новым интегрированным подходом, который очень компактен и прост в использовании, пайкой и упрощением питания. оформление сцены».
Устройство состоит из двух 100-вольтовых 3.2 мОм GaN HEMT e-mode с драйвером, управляющим резистор, бутстрап и Vcc Конденсаторы. Он обеспечивает непрерывный ток 34 А, нулевую зарядку обратного восстановления и сверхнизкое сопротивление. Благодаря высокому уровню интеграции паразитные параметры контура затвора и контура питания не превышают 1 нГн. Следовательно, напряжение пики на коммутационных узлах сведены к минимуму. Скорость включения полумостовых GaN HEMT можно изменить, используя один резистор.
Устройство идеально подходит для высокочастотных понижающих преобразователей, полумостовых или полномостовых преобразователей, аудиоусилителей класса D, LLC-преобразователей и силовых модулей. Интегрированное решение может сэкономить до 20 % места на печатной плате для дискретных конструкций GaN и до 73 % места на плате для традиционных кремниевых реализаций.
Доктор Пэнджу Конг, вице-президент по проектированию продуктов в Innoscience, добавляет: «Полумостовое устройство ISG3201 является первым в целом семействе решений на основе GaN, интегрированных в SolidGaN, которые Innoscience планирует выпустить в этом году, включая дополнительные полумостовые схемы с различными номиналы напряжения. Innoscience стремится предложить инженерам именно то, что они хотят — интегрированные решения или дискретные устройства — позволяя им достичь наилучшего возможного результата при разработке, минимизируя время разработки и снижая стоимость».