Caratteristiche del Mitsubishi PM75CSE120:
a) Utilizza un nuovo planare di quarta generazione IGBT chip con prestazioni migliorate grazie a un processo a righe fini da 1 μm.
b) Incorpora un nuovo diodo progettato per ottenere caratteristiche di recupero inverso morbido.
Vendite Email: sales@shunlongwei.com
Specifiche chiave:
- Rilevamento di corrente trifase, 3 A, 75 V IGBT adatto per la commutazione a 15kHz.
- Gate drive monolitico integrato e logica di protezione.
- Include circuiti di rilevamento, protezione e indicazione di stato per sovracorrente, cortocircuitocircuito, sovratemperatura e sotto-voltaggio condizioni.
- Ideale per applicazioni con inverter silenziosi di classe 11/15kW.
Valutazioni e caratteristiche massime:
- Collettore-Emettitore voltaggio (Vce): 1200V
- Tensione gate-emettitore (VGES): ±20V
- Corrente di collettore (IC): 75 A
- Corrente di collettore (Icp): 150A
- Dissipazione di potenza del collettore (PC): 416 W
- Tensione collettore-emettitore (VCES): 2500V
- Temperatura operativa di giunzione (Tj): +150°C
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): da -40 a +125°C
- Coppia consigliata per le viti di montaggio: M5, 2.5~3.5 N·m
- Peso (tipico): 560g