Il Toshiba Matsushita LTM10C210 è un modello compatibile con le seguenti specifiche: Marchio: Toshiba Matsushita Modello: P/N LTM10C210 Modello compatibile 2 Dimensioni diagonale: 10.4 pollici Tipo di pannello: a-Si TFT-LCD, LCM Risoluzione: 640 (RGB)×480, VGA Formato pixel: RGB Striscia verticaleArea attiva: 211.2(L)×158.4(A) mmApertura cornice: 216.2(L)×163.4(A) mmContorno (mm): 265(L)×188.8(A)×12(P)Luminanza: 400 cd/m²Visualizzazione Angolo: 60/60/50/50 (CR≥10) Sinistra/Destra/Su/Giù Profondità colore: 262K Massa: 650 g Rapporto di contrasto: 250:1(TM) Modalità di lavoro: TN, Normalmente bianco, Trasmissivo Risposta: 50/50 […]
Introduzione: MG15D6EM1 è un modulo di potenza mosfet a ponte trifase robusto e ad alte prestazioni progettato per varie applicazioni che richiedono commutazione ad alta potenza e controllo motore. Questo modulo offre una soluzione versatile per sistemi elettrici ed industriali esigenti. In questa guida completa esploreremo le caratteristiche, le specifiche e le potenziali applicazioni del modulo MG15D6EM1. Panoramica di […]
Modulo IGBT Toshiba MIG200J6CMB1W Il modulo IGBT Toshiba MIG200J6CMB1W è un dispositivo di commutazione ad alta potenza che integra inverter e circuiti di controllo in un unico pacchetto. Presenta una bassa resistenza termica, VCE (sat) = 2.0 V (tip.) ed è riconosciuto UL (file n. E87989). Il modulo pesa 385 g (tip.) e ha valori nominali massimi di: MIG200J6CMB1W […]
Di seguito sono riportati i valori nominali e le caratteristiche massime del modulo di potenza MG400Q1US41: Valori nominali massimi assoluti (a Tc=25°C se non diversamente specificato): questi valori indicano i valori massimi che non devono essere superati per garantire il corretto funzionamento e l'affidabilità del modulo di potenza. È importante attenersi a queste specifiche per evitare danni al modulo.
vendite Email: sales@shunlongwei.com MG15N6ES42 è un dispositivo a semiconduttore di potenza comunemente utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta potenza e applicazioni di controllo motore. È progettato con diverse caratteristiche degne di nota:
Vendite Email: sales@shunlongwei.com Presentazione di Toshiba MG75Q2YS42, un modulo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) a canale N ad alte prestazioni progettato specificamente per applicazioni di controllo motore e commutazione ad alta potenza. Con una corrente massima del collettore di 75 A e una tensione collettore-emettitore di 1200 V, MG75Q2YS42 offre robuste capacità di gestione della potenza per applicazioni industriali esigenti. Una caratteristica notevole di questo modulo […]
vendite Email: sales@shunlongwei.com Marca pannello: Samsung Modello pannello: LT121S1-153 Tipo pannello: Pannello TFT-LCD a-Si Dimensioni pannello: 12.1 pollici Risoluzione: 800 (RGB) × 600, SVGA Modalità display: TN, Normalmente bianco, Trasmissivo Area attiva: 246 × 184.5 mm Contorno: 275 × 200 mm Superficie : Antiriflesso (Haze 25%), Rivestimento duro (3H)Luminosità: 70 cd/m² (tipico)Rapporto di contrasto: 120:1 (minimo)Colori display: 262K (6 bit)Tempo di risposta: 20/30 (tipico)( Tr/Td)Angolo di visione: 45/45/10/30 (minimo)(CR≥10) (sinistra/destra/su/giù)Frequenza: 60HzTipo di lampada: 1 pezzo di CCFLSegnale […]
Vendite Email: sales@shunlongwei.com Il MIG20J952H è un modulo transistor di potenza prodotto da Toshiba. Ecco una descrizione del modulo insieme alle sue caratteristiche e valori nominali massimi: Descrizione: Modello: MIG20J952HTipo: modulo transistor di potenzaCorrente nominale: 20 A. Tensione nominale: 600 VoltCaratteristiche: Modulo GTR integrato: il modulo integra un tiristore di spegnimento del gate (GTR) in il suo design.Integrazione di circuiti: […]
# MG100J2YS1 Toshiba MG100J2YS1 Nuovo 2IGBT: 100A600V, immagini MG100J2YS1, prezzo MG100J2YS1, # MG100J2YS1 fornitore ——————————————————————- Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/mg100j2ys1.html ——————————————————————- Key Specifications: Collector-Emitter voltage Vces: 600V Gate-Emitter voltage VGES: ±20V Collector current IC: 100A Collector current Icp: 200A Collector power dissipation Pc: 450W Collector-Emitter voltage VCES: 2500V Operating junction temperature Tj: +150°C Storage temperature Tstg: -40 to +125°C […]