#BSM100GB170DN2 ユーペック BSM100GB170DN2 新品 IGBT：100A 1700V; IGBT モジュール 1700V 100A デュアル、BSM100GB170DN2 写真、BSM100GB170DN2 価格、#BSM100GB170DN2 サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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BSM100GB170DN2
メーカー： インフィニオン
製品カテゴリ： IGBTモジュール
RoHS指令： いいえ
メーカー： インフィニオンテクノロジーズ
製品： IGBTシリコンモジュール
構成： ハーフブリッジ
コレクター-エミッター 電圧 VCEO Max： 1700 V
コレクター-エミッター飽和電圧： 3.4 V
25℃での連続コレクタ電流： 145 A
ゲートエミッタリーク電流： 320nA
Pd –消費電力： 1 kW
パッケージ/ケース： ハーフブリッジ2
最高使用温度： + 150℃
最大ゲートエミッタ電圧： 20 V
最小動作温度： -40 C
取り付け様式： スクリュードライバーを使用
工場パックの数量： 10
IGBT：100A 1700V; IGBTモジュール1700V100A DUAL
Shunlongweiは、出荷前にすべてのBSM100GB170DN2を検査し、すべてのBSM100GB170DN2を6か月の保証付きで検査しました。