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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM100GB170DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
RoHS: Não
marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Meia Ponte
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1700 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 3.4 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 145 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 320 nA
Pd - Dissipação de energia: 1 kW
Pacote / Caso: Meia Ponte 2
Temperatura operacional máxima: + 150ºC
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
IGBT: 100A 1700V; Módulos IGBT 1700V 100A DUAL
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