#БСМ100ГБ170ДН2 Eupec BSM100GB170DN2 Новый IGBT: 100А 1700В; Модули IGBT 1700V 100A DUAL, изображения BSM100GB170DN2, цена BSM100GB170DN2, поставщик #BSM100GB170DN2
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ100ГБ170ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: Нет
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.4 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 145
Ток утечки затвор-эмиттер: 320 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 1 кВт
Пакет / Дело: Половина моста2
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Количество в упаковке: 10
IGBT: 100А 1700В; Модули IGBT 1700V 100A DUAL
Shunlongwei проверил все BSM100GB170DN2 перед отправкой, все BSM100GB170DN2 с 6-месячной гарантией.