#BSM100GB170DN2 Eupec BSM100GB170DN2 ใหม่ IGBT: 100A 1700V; โมดูล IGBT 1700V 100A DUAL, รูปภาพ BSM100GB170DN2, ราคา BSM100GB170DN2, # BSM100GB170DN2 ผู้จัดจำหน่าย
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM100GB170DN2
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: โมดูล IGBT
RoHS: ไม่
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: สะพานครึ่ง
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1700
Collector-Emitter Saturation แรงดันไฟฟ้า: V 3.4
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 145
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 320 นาโนเมตร
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 1 กิโลวัตต์
แพ็คเกจ / เคส: ฮาล์ฟบริดจ์ 2
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 150 องศาเซลเซียส
แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: V 20
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
IGBT: 100A 1700V; โมดูล IGBT 1700V 100A DUAL
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM100GB170DN2 ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM100GB170DN2 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน