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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM100GB170DN2
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Demi-pont
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1700 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 3.4 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 145
Courant de fuite porte-émetteur: 320 na
Pd - Dissipation de puissance: 1kW
Paquet / Cas: Demi-pont2
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Tension maximale de l'émetteur de porte: 20 V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
IGBT: 100A 1700V; Modules IGBT 1700V 100A DUAL
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