BSM150GT120DN2(6) ビデオ
販 売 BSM150GT120DN2(6)、インフィニオン BSM150GT120DN2(6) 新入荷、 IGBT 出力 モジュール (はんだ付け可能なパワーモジュール 3 相フルブリッジ、高速フリーホイール ダイオードを含む) 1200V 200A #BSM150GT120DN2(6)
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インフィニオン BSM150GT120DN2(6)は パワー半導体モジュール ハイパワー＆ハイを処理するように設計されています 電圧 分野の様々なアプリケーションで使用されています。
BSM150GT120DN2(6) モジュールは、XNUMX つのモジュールを含むハーフブリッジ構成です。 IGBT （絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）高周波で大電流をスイッチングできるデバイス。 BSM150GT120DN2(6) は、定格電圧 1200V および定格電流 150A で、産業用ドライブ、再生可能エネルギー システム、牽引アプリケーションに適しています。
このモジュールの SEMITOP 6 パッケージ タイプは、組み立てが簡単で低インダクタンスであるため、高周波スイッチング アプリケーションに適しています。 また、パッケージは熱伝導率が高く、効率的な放熱が可能です。
BSM150GT120DN2(6) IGBTパワーモジュール
予備データ
. はんだ付け可能な電源モジュール 三相フルブリッジ
. 高速フリーホイール ダイオードを含む
. 絶縁金属ベースプレート付きパッケージ
最大評価
コレクタ-エミッタ間電圧VCE1200V
コレクタ・ゲート間電圧 RGE= 20 KΩ
ゲート-エミッタ間電圧VGES：±20V
コレクター電流 IC 連続Tc=80℃：150A
コレクタ電流 Icp 1ms Tc=80℃ :300A
IGBT あたりのパルス損失 Tc=25°C Ptot:1250W
絶縁電圧VIsol（AC 1分）：2500V
動作接合部温度Tj：+ 150°C
保管温度Tstg：-40〜 + 125°C
取付ねじトルク3.5 * 3N・m
沿面距離 11mm