BSM150GT120DN2(6)-video
Verkoop BSM150GT120DN2(6), Infineon BSM150GT120DN2(6) Nieuwe voorraad, IGBT Power Module (Soldeerbare voedingsmodule 3-fase volledige brug Inclusief snelle vrijloopdiodes) 1200V 200A #BSM150GT120DN2(6)
E-mail: sales@shunlongwei.com
Infineon BSM150GT120DN2(6) is een vermogenshalfgeleidermodule dat is ontworpen om hoog vermogen en hoog aan te kunnen spanning toepassingen.
De BSM150GT120DN2(6) module is een half-bridge configuratie die er twee bevat IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) apparaten die hoge stromen bij hoge frequenties kunnen schakelen. BSM150GT120DN2(6) heeft een nominale spanning van 1200 V en een nominale stroom van 150 A, geschikt voor industriële aandrijvingen, duurzame energiesystemen en tractietoepassingen.
Het SEMITOP 6-pakkettype van deze module biedt eenvoudige montage en lage inductantie, geschikt voor hoogfrequente schakeltoepassingen. Het pakket heeft ook een hoge thermische geleidbaarheid, wat een efficiënte warmteafvoer mogelijk maakt.
BSM150GT120DN2(6) IGBT-voedingsmodule
Voorlopige gegevens
. Soldeerbare Power-module 3-fase full-bridge
. Inclusief snelle vrijloopdiodes
. Pakket met geïsoleerde metalen bodemplaat
Maximale beoordelingen
Collector-emitterspanning VCE 1200V
Collector-poortspanning RGE= 20 KΩ
Gate-Emitterspanning VGES: ± 20V
Collector stroom IC Continu Tc=80°C :150A
Collectorstroom Icp 1ms Tc=80°C :300A
Gepulste dissipatie Per IGBT Tc=25°C Ptot:1250W
Isolatiespanning VIsol (AC 1 minuut): 2500V
Operationele junctietemperatuur Tj: + 150 ° C
Opslagtemperatuur Tstg: -40 tot + 125 ° C
Aanhaalmoment montageschroef 3.5 * 3 N · m
Kruipafstand 11 mm