BSM150GT120DN2(6) 동영상
판매 BSM150GT120DN2(6), 인피니언 BSM150GT120DN2(6) 신규 재고, IGBT 출력 모듈 (납땜 가능한 전원 모듈 3상 풀 브리지 고속 프리휠 다이오드 포함) 1200V 200A #BSM150GT120DN2(6)
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인피니언 BSM150GT120DN2(6)는 전력 반도체 모듈 고출력 및 고출력을 처리하도록 설계된 전압 분야의 다양한 어플리케이션에서 사용됩니다.
BSM150GT120DN2(6) 모듈은 XNUMX개를 포함하는 하프 브리지 구성입니다. IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 고주파에서 고전류를 스위칭할 수 있는 소자. BSM150GT120DN2(6)는 정격 전압 1200V 및 정격 전류 150A로 산업용 드라이브, 재생 에너지 시스템 및 트랙션 애플리케이션에 적합합니다.
이 모듈의 SEMITOP 6 패키지 유형은 조립이 쉽고 인덕턴스가 낮아 고주파 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. 또한 이 패키지는 열전도율이 높아 효율적인 방열이 가능합니다.
BSM150GT120DN2(6) IGBT 전원 모듈
예비 데이터
. 납땜 가능한 전원 모듈 3상 풀 브리지
. 고속 프리휠 다이오드 포함
. 절연 금속 베이스 플레이트가 포함된 패키지
최대 등급
콜렉터-이미터 전압 VCE 1200V
콜렉터 게이트 전압 RGE= 20KΩ
게이트 이미 터 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC 연속 Tc=80°C :150A
콜렉터 전류 Icp 1ms Tc=80°C :300A
IGBT당 펄스 손실 Tc=25°C Ptot:1250W
절연 전압 VIsol(AC 1분):2500V
작동 접합 온도 Tj : + 150 ° C
보관 온도 Tstg : -40 ~ + 125 ° C
장착 나사 토크 3.5 * 3 N · m
연면 거리 11mm