BSM150GT120DN2(6) Vidéo
Vendre BSM150GT120DN2(6), Infineon BSM150GT120DN2(6) Nouveau stock, IGBT Puissance Module (Module d'alimentation soudable pont complet triphasé comprenant des diodes de roue libre rapides) 3V 1200A #BSM200GT150DN120(2)
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Infineon BSM150GT120DN2(6) est un module semi-conducteur de puissance qui est conçu pour gérer une puissance élevée et élevée Tension applications.
Le module BSM150GT120DN2(6) est une configuration en demi-pont qui contient deux IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dispositifs capables de commuter des courants élevés à des fréquences élevées. Le BSM150GT120DN2(6) a une tension nominale de 1200 V et un courant nominal de 150 A, adapté aux entraînements industriels, aux systèmes d'énergie renouvelable et aux applications de traction.
Le type de boîtier SEMITOP 6 de ce module offre un assemblage facile et une faible inductance, une utilisation appropriée pour les applications de commutation haute fréquence. Le boîtier a également une conductivité thermique élevée, ce qui permet une dissipation thermique efficace.
Module d'alimentation IGBT BSM150GT120DN2(6)
Données préliminaires
. Module d'alimentation soudable Pont complet triphasé
. Y compris les diodes de roue libre rapide
. Emballage avec plaque de base métallique isolée
Notes maximales
Tension collecteur-émetteur VCE 1200V
Tension collecteur-grille RGE= 20 KΩ
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC Tc continu=80°C :150A
Courant collecteur Icp 1ms Tc=80°C :300A
Dissipation pulsée Par IGBT Tc=25°C Ptot:1250W
Tension d'isolation VIsol (CA 1 minute) : 2500 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3.5 * 3 N · m
Ligne de fuite 11 mm