CISSOID ขยายแพลตฟอร์ม SiC Intelligent Power Modules สำหรับ e-mobility

CISSOID ผู้เชี่ยวชาญด้านเซมิคอนดักเตอร์อุณหภูมิสูงและโมดูลพลังงานได้ขยาย 3-Phase Silicon Carbide (SiC) MOSFET กำลังอัจฉริยะ โมดูล กลุ่มผลิตภัณฑ์ (IPM)

CISSOID ได้เปิดตัวโมดูลระบายความร้อนด้วยของเหลวใหม่สำหรับ e-mobility ที่ได้รับการปรับแต่งเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยนหรือเพื่อให้ได้พลังงานที่สูงขึ้น

บริษัทยังเปิดตัวโมดูลที่ใช้แผ่นฐาน AlSiC แบบแบนน้ำหนักเบา ซึ่งตอบสนองความต้องการการพาความร้อนตามธรรมชาติหรือการทำความเย็นแบบบังคับในการบินและอวกาศและในการใช้งานทางอุตสาหกรรมโดยเฉพาะ ผลิตภัณฑ์ทั้งสองนี้รวม SiC แบบ 3 เฟสเข้าด้วยกัน MOSFET โมดูลพร้อมตัวขับเกตอันทรงพลัง

IPM เหล่านี้ใช้ประโยชน์จาก เทคโนโลยี แพลตฟอร์มที่สามารถปรับให้เข้ากับสิ่งใหม่ได้อย่างรวดเร็ว แรงดันไฟฟ้าข้อกำหนดด้านพลังงานและการระบายความร้อนช่วยเร่งการออกแบบตัวแปลงพลังงานที่ใช้ SiC และทำให้มีประสิทธิภาพสูงและมีความหนาแน่นของพลังงานสูง

ตัวขับเกตแบบฝังช่วยแก้ปัญหาความท้าทายหลายประการที่เกี่ยวข้องกับทรานซิสเตอร์ SiC แบบสวิตชิ่งอย่างรวดเร็วไดรฟ์เชิงลบและ Active Miller Clamping (AMC) ป้องกันการเปิดแบบกาฝาก การตรวจจับความไม่อิ่มตัวและ Soft-Shut-Down (SSD) ตอบสนองอย่างรวดเร็ว แต่ปลอดภัยต่อเหตุการณ์ลัดวงจร ฟังก์ชัน Under-voltage Lockout (UVLO) บนตัวขับเกตและแรงดันไฟฟ้าบัส DC จะตรวจสอบการทำงานที่เหมาะสมของระบบ

โมดูลพลังงานระบายความร้อนด้วยของเหลวใหม่สองโมดูลขึ้นอยู่กับแผ่นฐานครีบพินและได้รับการจัดอันดับสำหรับแรงดันไฟฟ้าบล็อก 1200V และสำหรับกระแสต่อเนื่องสูงสุด 340A ถึง 550A On Resistance มีตั้งแต่ 2.53mOhms ถึง 4.19mOhms ขึ้นอยู่กับพิกัดกระแส พลังงานสวิตชิ่งทั้งหมดต่ำถึง 7.48mJ (Eon) และ 7.39mJ (Eoff) ที่ 600V / 300A

การออกแบบร่วมกันของโมดูลจ่ายไฟและตัวขับเกตช่วยให้สามารถปรับ IPM ให้เหมาะสมเพื่อให้พลังงานสวิตชิ่งต่ำที่สุดโดยการปรับ dV / dt อย่างระมัดระวังและควบคุมแรงดันไฟฟ้าเกินที่มีอยู่ในตัวเพื่อให้สวิตช์เร็ว Reverse Bias Safe Operating Aera (RBSOA) อนุญาตให้กระแสไฟฟ้าสูงสุดถึง 600A โดยมีแรงดันไฟฟ้าบัส DC สูงถึง 880V ทำให้โมดูลพลังงานปลอดภัยอย่างสมบูรณ์แบบสำหรับการใช้งานแบตเตอรี่ 800V

โมดูลระบายความร้อนด้วยอากาศใหม่ได้รับการออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่ไม่มีตัวเลือกการระบายความร้อนด้วยของเหลวเช่นแอคชูเอเตอร์ไฟฟ้าเครื่องกลการบินและอวกาศเป็นต้น

โมดูลนี้ได้รับการจัดอันดับสำหรับแรงดันไฟฟ้าที่ปิดกั้นที่ 1200V และกระแสไฟฟ้าต่อเนื่องสูงสุด 340A ค่าความต้านทานเท่ากับ 3.25mOms พลังงานสวิตชิ่งเปิดและปิดตามลำดับคือ 8.42mJ และ 7.05mJ ที่ 600V และ 300A โมดูลจ่ายไฟถูกระบายความร้อนผ่านแผ่นฐานแบน AlSiC ทนทานต่อความร้อนโมดูลได้รับการจัดอันดับสำหรับอุณหภูมิทางแยก 175 ° C และตัวขับเกตสำหรับอุณหภูมิแวดล้อม 125 ° C

“ ในตอนแรกเราได้พัฒนาแพลตฟอร์ม IPM นี้เพื่อเร่งการพัฒนามอเตอร์ขับเคลื่อนที่ใช้ SiC สำหรับ e-mobility และเรายินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้เห็นความต้องการจากลูกค้าด้านการบินและอวกาศ” Dave Hutton ซีอีโอของ CISSOID กล่าว “ เรามีความยินดีที่จะส่งมอบโมดูลพลังงานอัจฉริยะ SiC ใหม่ที่ออกแบบมาสำหรับการพาความร้อนตามธรรมชาติหรือการระบายความร้อนแบบบังคับในตัวแปลงพลังงานขนาดกะทัดรัดและน้ำหนักเบาเพื่อตอบสนองตลาดที่มีความต้องการใหม่ ๆ เหล่านี้”