#BSM75GD120DN2 Infineon BSM75GD120DN2 ใหม่ 75A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT โมดูล 1200V 75A 3 เฟสรูปภาพ BSM75GD120DN2 ราคา BSM75GD120DN2 # ผู้จัดจำหน่าย BSM75GD120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM75GD120DN2
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล
RoHS: ใช่
แบรนด์: Infineon Technologies
สินค้า: IGBT โมดูลซิลิคอน
การกำหนดค่า: Hex
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: 1200 V.
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: 2.5 V
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C: 103 A
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 320 nA
อุณหภูมิในการใช้งานสูงสุด: + 150 C
บรรจุภัณฑ์/กล่อง: EconoPACK 3A
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: 20 V
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ: - 40 C
รูปแบบการติด: สกรู
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 520 W.
75A / 1200V / IGBT / 6U; โมดูล IGBT 1200V 75A 3 เฟส
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM75GD120DN2 ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM75GD120DN2 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน