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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM75GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: SIM
Marca: Infineon Technologies
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Hex
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 103 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 320 nA
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Embalagem / caixa: EconoPACK 3A
Emissor máximo de porta Voltagem: 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Pd - Dissipação de energia: 520 W
75A / 1200V / IGBT / 6U; Módulos IGBT 1200V 75A 3-FASE
Shunlongwei inspecionado todos os BSM75GD120DN2 antes do envio, todos os BSM75GD120DN2 com 6 meses de garantia.