#BSM75GD120DN2 Infineon BSM75GD120DN2 Mới 75A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Mô-đun 1200V 75A 3-PHASE, hình ảnh BSM75GD120DN2, giá BSM75GD120DN2, nhà cung cấp # BSM75GD120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM75GD120DN2
Nhà sản xuất: Infineon
Danh Mục Sản Phẩm: IGBT Modules
RoHS: CÓ
Thương hiệu: Infineon Technologies
Sản phẩm: IGBT Mô-đun silicon
Cấu hình: Hex
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 103 A
Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 320 nA
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
Gói / Trường hợp: EconoPACK 3A
Bộ phát cổng tối đa Vôn: 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Kiểu lắp: Vít
Pd - Công suất tiêu tán: 520 W
75A / 1200V / IGBT / 6U; Mô-đun IGBT 1200V 75A 3-PHASE
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM75GD120DN2 trước khi xuất xưởng, tất cả BSM75GD120DN2 với bảo hành 6 tháng.