#BSM75GD120DN2 Infineon BSM75GD120DN2 Nuovo 75A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Moduli 1200V 75A TRIFASE, immagini BSM3GD75DN120, prezzo BSM2GD75DN120, fornitore # BSM2GD75DN120
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM75GD120DN2
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: IGBT moduli
RoHS: SI
Marchio: Infineon Technologies
Prodotti: IGBT Moduli in silicone
Configurazione: esadecimale
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 2.5 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 103 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 320 nA
Temperatura operativa massima: + 150 C
Confezione / Custodia: EconoPACK 3A
Emettitore Gate massimo voltaggio: 20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Pd - Dissipazione di potenza: 520 W.
75A / 1200V / IGBT / 6U; Moduli IGBT 1200V 75A TRIFASE
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