Công nghệ xử lý ống dẫn sóng quang silicon mới

Tháp Semiconductor và Anello Photonics, nhà phát triển Con quay hồi chuyển quang học Silicon Photonic, đã công bố quan hệ đối tác chiến lược để phát triển Ống dẫn sóng quang học Silicon tổn thất thấp mới công nghệ và quá trình sản xuất.

Phiên bản đúc của quy trình sẽ cho phép áp dụng trên nhiều thị trường như: LiDAR ô tô, cảm biến sinh học, điện toán lượng tử, trí tuệ nhân tạo, quang tử vi sóng và truyền thông quang học đòi hỏi sự tích hợp phức tạp của các thiết bị quang học hiệu suất cao.

Quy trình ống dẫn sóng Silicon Nitride suy hao thấp đạt tới mức suy hao lan truyền 0.005dB / cm ở bước sóng 1550nm với bán kính uốn cong nhỏ hơn 1mm. Quy trình này cung cấp một đến hai mức độ suy hao thấp hơn so với các quy trình đúc thương mại khác ở bán kính uốn cong nhỏ gọn cho cả bước sóng 1550nm và 1310nm.

Sự kết hợp của suy hao thấp cùng với bán kính uốn cong nhỏ cho phép chế tạo một loại thiết bị hiệu suất cao mới, bao gồm các đường trễ dài (> 10m) và bộ cộng hưởng trên chip nhỏ với hệ số chất lượng cao (Q cao) vượt qua 100 triệu.

Một loạt các ứng dụng quang học đều có thể được hưởng lợi từ các khả năng đột phá được cung cấp bởi quy trình tổn thất thấp mới này.

“Quang tử silicon là chiến lược để Tower trở thành công cụ hỗ trợ duy nhất ở nhiều thị trường cuối cùng đang phát triển nhanh chóng. Tower đầu tư rất nhiều vào lĩnh vực này,” Russell Ellwanger, Tower Semiconductor CEO. “Làm việc với Anello là một ví dụ về cách Tower hợp tác có chọn lọc với các chuyên gia đã được chứng minh trong ngành để phát triển và mở rộng quy trình công nghệ.”

Anello Photonics và Tower Semiconductor đã phát triển quy trình này trong mười tám tháng qua, và con quay hồi chuyển SiPhOG của Anello sử dụng quy trình này để thay thế trực tiếp sợi quang được tìm thấy trong Con quay hồi chuyển sợi quang truyền thống.

Một phiên bản đúc của quy trình này đang được Tower cung cấp cho khách hàng vào đầu năm 2022.

Mario Paniccia, Giám đốc điều hành và Đồng sáng lập của Anello cho biết: “Thông báo này thể hiện một bước đột phá trong truyền dẫn quang học tổn thất thấp trên silicon, cho phép nhiều sản phẩm mới dựa trên silicon trước đây không được coi là thực tế với công nghệ chế tạo quang tử tích hợp”.