#HY5DU561622FTP-D43 HYNIX HY5DU561622FTP-D43 New DDR DRAM، 16MX16، 0.7ns، CMOS، PDSO66، 0.400 X 0.875 بوصة، 0.65 ملم PITCH، ROHS COMPLIANT، TSOP2-66، HY5DU561622FTP-D43، سعر HY5DU561622، FTP # D43
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hy5du561622ftp-d43.html
-----------------------
رقم جزء الشركة المصنعة: HY5DU561622FTP-D43
كود Pbfree: نعم
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة Ihs: SK HYNIX INC
كود حزمة الجزء: TSOP2
وصف العبوة: TSOP2 ، TSSOP66 ، .46 ، XNUMX
دبوس عدد: 66
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8542.32.00.24
الشركة المصنعة: SK Hynix Inc
ترتيب المخاطرة: 5.79
وضع الوصول: FOUR BANK PAGE BURST
وقت الوصول الأقصى: 0.7 نانوثانية
ميزة إضافية: تحديث تلقائي / ذاتي
تردد الساعة الأقصى (fCLK): 200 ميجا هرتز
نوع الإدخال / الإخراج: COMMON
طول انفجار معشق: 2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX
JESD-30 كود: R-PDSO-G66
JESD-609 كود: e6
الطول: 22.225 مم
كثافة الذاكرة: 268435456 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: DDR DRAM
عرض الذاكرة: 16
عدد الوظائف: 1
عدد المنافذ: 1
عدد المحطات: 66
عدد الكلمات: 16777216 كلمة
عدد الكلمات كود: 16000000
وضع التشغيل: SYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 16MX16
خصائص الإخراج: 3-STATE
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: TSOP2
رمز معادلة العبوة: TSSOP66، .46
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: مخطط صغير ، ملف تعريف رفيع
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
مزودات الطاقة: 2.6 فولت
حالة التأهيل: غير مؤهل
دورات التحديث: 8192
ارتفاع الجلوس: 1.194 ملم
طول الاندفاع المتسلسل: 2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX
الاستعداد الحالي - الحد الأقصى: 0.01 أ
الفئة الفرعية: DRAMs
العرض الحالي - ماكس: 0.23 مللي أمبير
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 2.7 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 2.4 فولت
مصدر الجهد- Nom (Vsup): 2.6 فولت
تركيب السطح: نعم
تكنولوجيا: كموس
درجة الحرارة: تجاري
إنهاء المحطة: TIN BISMUTH
شكل المحطة: جناح النورس
الملعب الطرفي: 0.65 ملم
موقف المحطة: DUAL
الوقت:
DDR DRAM، 16MX16، 0.7ns، CMOS، PDSO66، 0.400 X 0.875 بوصة، 0.65 ملم حفرة، ROHS متوافق، TSOP2-66
كود Pbfree: نعم
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة Ihs: SK HYNIX INC
كود حزمة الجزء: TSOP2
وصف العبوة: TSOP2 ، TSSOP66 ، .46 ، XNUMX
دبوس عدد: 66
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8542.32.00.24
الشركة المصنعة: SK Hynix Inc
ترتيب المخاطرة: 5.79
وضع الوصول: FOUR BANK PAGE BURST
وقت الوصول الأقصى: 0.7 نانوثانية
ميزة إضافية: تحديث تلقائي / ذاتي
تردد الساعة الأقصى (fCLK): 200 ميجا هرتز
نوع الإدخال / الإخراج: COMMON
طول انفجار معشق: 2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX
JESD-30 كود: R-PDSO-G66
JESD-609 كود: e6
الطول: 22.225 مم
كثافة الذاكرة: 268435456 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: DDR DRAM
عرض الذاكرة: 16
عدد الوظائف: 1
عدد المنافذ: 1
عدد المحطات: 66
عدد الكلمات: 16777216 كلمة
عدد الكلمات كود: 16000000
وضع التشغيل: SYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 16MX16
خصائص الإخراج: 3-STATE
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: TSOP2
رمز معادلة العبوة: TSSOP66، .46
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: مخطط صغير ، ملف تعريف رفيع
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
مزودات الطاقة: 2.6 فولت
حالة التأهيل: غير مؤهل
دورات التحديث: 8192
ارتفاع الجلوس: 1.194 ملم
طول الاندفاع المتسلسل: 2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX
الاستعداد الحالي - الحد الأقصى: 0.01 أ
الفئة الفرعية: DRAMs
العرض الحالي - ماكس: 0.23 مللي أمبير
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 2.7 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 2.4 فولت
مصدر الجهد- Nom (Vsup): 2.6 فولت
تركيب السطح: نعم
تكنولوجيا: كموس
درجة الحرارة: تجاري
إنهاء المحطة: TIN BISMUTH
شكل المحطة: جناح النورس
الملعب الطرفي: 0.65 ملم
موقف المحطة: DUAL
الوقت:
DDR DRAM، 16MX16، 0.7ns، CMOS، PDSO66، 0.400 X 0.875 بوصة، 0.65 ملم حفرة، ROHS متوافق، TSOP2-66