#HY5DU561622FTP-D43 HYNIX HY5DU561622FTP-D43 Новая память DDR DRAM, 16MX16, 0.7 нс, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 ДЮЙМА, шаг 0.65 мм, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66, HY5DU561622FTP-D43 изображения, HY5DU561622FTP-D43 фотографии, HY5DU561622FTP-D43, цена поставщика DXNUMXDUXNUMXFTP-DXNUMX-DXNUMX, цена DXNUMXDUXNUMXFTP-DXNUMX
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hy5du561622ftp-d43.html
-----------------------
Номер детали производителя: HY5DU561622FTP-D43
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Производитель IHS: SK HYNIX INC.
Код упаковки детали: TSOP2
Описание пакета: TSOP2, TSSOP66, .46
Количество контактов: 66
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8542.32.00.24
Производитель: SK Hynix Inc
Рейтинг риска: 5.79
Режим доступа: РАЗРЫВ ЧЕТЫРЕХ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
Максимальное время доступа: 0.7 нс
Дополнительная функция: АВТО / САМООБНОВЛЕНИЕ
Максимальная тактовая частота (fCLK): 200 МГц
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Длина чередующегося пакета: 2,4,8
Код JESD-30: R-PDSO-G66.
Код JESD-609: e6.
Длина: 22.225 мм
Плотность памяти: 268435456 бит
Память IC Тип: DDR DRAM
Ширина памяти: 16
Количество функций: 1
Количество портов: 1
Количество терминалов: 66
Количество слов: 16777216 слов
Код количества слов: 16000000
Режим работы: СИНХРОННЫЙ
Максимальная рабочая температура: 70 ° C
Организация: 16MX16
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: TSOP2
Код эквивалентности упаковки: TSSOP66, .46
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ, ТОНКИЙ ПРОФИЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Источники питания: 2.6 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Циклов обновления: 8192
Высота сиденья - макс .: 1.194 мм
Длина последовательного пакета: 2,4,8
Максимальный ток в режиме ожидания: 0.01 A
Подкатегория: DRAM
Максимальный ток питания: 0.23 мА
Планирование напряжение-Макс (Vsup): 2.7 В
Планирование напряжение-Мин (Vsup): 2.4 В
Номинальное напряжение питания (Vsup): 2.6 В
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Температурный класс: КОММЕРЧЕСКИЙ
Отделка Терминала: ОЛОВНО-ВИСМУТ
Форма клеммы: GULL WING
Шаг клемм: 0.65 мм
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
DDR DRAM, 16MX16, 0.7 нс, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 ДЮЙМА, шаг 0.65 мм, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TSOP2-66
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Производитель IHS: SK HYNIX INC.
Код упаковки детали: TSOP2
Описание пакета: TSOP2, TSSOP66, .46
Количество контактов: 66
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8542.32.00.24
Производитель: SK Hynix Inc
Рейтинг риска: 5.79
Режим доступа: РАЗРЫВ ЧЕТЫРЕХ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
Максимальное время доступа: 0.7 нс
Дополнительная функция: АВТО / САМООБНОВЛЕНИЕ
Максимальная тактовая частота (fCLK): 200 МГц
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Длина чередующегося пакета: 2,4,8
Код JESD-30: R-PDSO-G66.
Код JESD-609: e6.
Длина: 22.225 мм
Плотность памяти: 268435456 бит
Память IC Тип: DDR DRAM
Ширина памяти: 16
Количество функций: 1
Количество портов: 1
Количество терминалов: 66
Количество слов: 16777216 слов
Код количества слов: 16000000
Режим работы: СИНХРОННЫЙ
Максимальная рабочая температура: 70 ° C
Организация: 16MX16
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: TSOP2
Код эквивалентности упаковки: TSSOP66, .46
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ, ТОНКИЙ ПРОФИЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Источники питания: 2.6 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Циклов обновления: 8192
Высота сиденья - макс .: 1.194 мм
Длина последовательного пакета: 2,4,8
Максимальный ток в режиме ожидания: 0.01 A
Подкатегория: DRAM
Максимальный ток питания: 0.23 мА
Планирование напряжение-Макс (Vsup): 2.7 В
Планирование напряжение-Мин (Vsup): 2.4 В
Номинальное напряжение питания (Vsup): 2.6 В
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Температурный класс: КОММЕРЧЕСКИЙ
Отделка Терминала: ОЛОВНО-ВИСМУТ
Форма клеммы: GULL WING
Шаг клемм: 0.65 мм
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
DDR DRAM, 16MX16, 0.7 нс, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 ДЮЙМА, шаг 0.65 мм, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TSOP2-66