#HY5DU561622FTP-D43 HYNIX HY5DU561622FTP-D43 DDR DDR DRAM חדש, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 אינץ ', 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66, HY5DU561622FTP-D43 תמונות, HY5DU561622FTP-D43, ספק HY5DU561622FTP-D43
-----------------------
דוא"ל: sales@shunlongwei.com
-----------------------
דוא"ל: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hy5du561622ftp-d43.html
-----------------------
מספר חלק היצרן: HY5DU561622FTP-D43
קוד Pbfree: כן
קוד מחזור חיי חלק: מיושן
יצרן Ihs: SK HYNIX INC
קוד חבילת חלק: TSOP2
תיאור החבילה: TSOP2, TSSOP66, .46
מספר פין: 66
קוד ECCN: EAR99
קוד HTS: 8542.32.00.24
יצרן: SK Hynix Inc
דרגת סיכון: 5.79
מצב גישה: ארבעה דף בנקים
זמן גישה מקסימלי: 0.7 ns
תכונה נוספת: רענון אוטומטי / עצמי
תדר שעון מקסימלי (fCLK): 200 מגהרץ
סוג קלט / פלט: משותף
אורך פרץ משולב: 2,4,8
קוד JESD-30: R-PDSO-G66
קוד JESD-609: e6
אורך: 22.225 מ"מ
צפיפות זיכרון: 268435456 סיביות
זכרון IC סוג: DDR DRAM
רוחב זיכרון: 16
מספר פונקציות: 1
מספר הנמלים: 1
מספר המסופים: 66
מספר מילים: 16777216 מילים
מספר מילים קוד: 16000000
מצב הפעלה: SYNCHRONOUS
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 70 מעלות צלזיוס
ארגון: 16MX16
מאפייני תפוקה: 3-STATE
חומר גוף החבילה: פלסטיק / אפוקסי
קוד חבילה: TSOP2
קוד שקילות חבילה: TSSOP66, .46
צורת חבילה: מלבנית
סגנון החבילה: מתווה קטן, פרופיל דק
טמפרטורת זרימה חוזרת (Cel): 260
ספקי כוח: 2.6 וולט
סטטוס ההסמכה: לא מוסמך
רענון מחזורים: 8192
גובה ישיבה מקסימלי: 1.194 מ"מ
אורך פרץ רצף: 2,4,8
זרם המתנה מקסימום: 0.01 A.
קטגוריית משנה: DRAMs
אספקת זרם מקסימום: 0.23 mA
אספקה מתח-מקס (Vsup): 2.7 וולט
אספקה מתח-מיין (Vsup): 2.4 וולט
אספקת מתח-נומוס (Vsup): 2.6 וולט
משטח הר: כן
טכנולוגיה: CMOS
ציון טמפרטורה: מסחרי
סיום מסוף: TIN BISMUTH
טופס מסוף: אגף GULL
מגרש טרמינל: 0.65 מ"מ
מיקום מסוף: DUAL
זְמַן
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 אינץ ', 0.65 מ"מ PITCH, תואם ROHS, TSOP2-66
קוד Pbfree: כן
קוד מחזור חיי חלק: מיושן
יצרן Ihs: SK HYNIX INC
קוד חבילת חלק: TSOP2
תיאור החבילה: TSOP2, TSSOP66, .46
מספר פין: 66
קוד ECCN: EAR99
קוד HTS: 8542.32.00.24
יצרן: SK Hynix Inc
דרגת סיכון: 5.79
מצב גישה: ארבעה דף בנקים
זמן גישה מקסימלי: 0.7 ns
תכונה נוספת: רענון אוטומטי / עצמי
תדר שעון מקסימלי (fCLK): 200 מגהרץ
סוג קלט / פלט: משותף
אורך פרץ משולב: 2,4,8
קוד JESD-30: R-PDSO-G66
קוד JESD-609: e6
אורך: 22.225 מ"מ
צפיפות זיכרון: 268435456 סיביות
זכרון IC סוג: DDR DRAM
רוחב זיכרון: 16
מספר פונקציות: 1
מספר הנמלים: 1
מספר המסופים: 66
מספר מילים: 16777216 מילים
מספר מילים קוד: 16000000
מצב הפעלה: SYNCHRONOUS
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 70 מעלות צלזיוס
ארגון: 16MX16
מאפייני תפוקה: 3-STATE
חומר גוף החבילה: פלסטיק / אפוקסי
קוד חבילה: TSOP2
קוד שקילות חבילה: TSSOP66, .46
צורת חבילה: מלבנית
סגנון החבילה: מתווה קטן, פרופיל דק
טמפרטורת זרימה חוזרת (Cel): 260
ספקי כוח: 2.6 וולט
סטטוס ההסמכה: לא מוסמך
רענון מחזורים: 8192
גובה ישיבה מקסימלי: 1.194 מ"מ
אורך פרץ רצף: 2,4,8
זרם המתנה מקסימום: 0.01 A.
קטגוריית משנה: DRAMs
אספקת זרם מקסימום: 0.23 mA
אספקה מתח-מקס (Vsup): 2.7 וולט
אספקה מתח-מיין (Vsup): 2.4 וולט
אספקת מתח-נומוס (Vsup): 2.6 וולט
משטח הר: כן
טכנולוגיה: CMOS
ציון טמפרטורה: מסחרי
סיום מסוף: TIN BISMUTH
טופס מסוף: אגף GULL
מגרש טרמינל: 0.65 מ"מ
מיקום מסוף: DUAL
זְמַן
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 אינץ ', 0.65 מ"מ PITCH, תואם ROHS, TSOP2-66